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04/02/2022 às 14h36min - Atualizada em 05/02/2022 às 00h00min

Toshiba expandirá capacidade de produção de semicondutores de energia com instalação de fabricação de wafers de 300 milímetros

- A produção da Fase 1 aumentará a capacidade de produção em 2,5 vezes -

DINO

A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) anunciou hoje que construirá uma nova instalação de fabricação de wafers de 300 milímetros para semicondutores de energia em sua principal base de produção de semicondutores discretos, Kaga Toshiba Electronics Corporation, na Prefeitura de Ishikawa. A construção se dará em duas fases, permitindo que o ritmo do investimento seja otimizado conforme as tendências do mercado. O início da produção da Fase 1 está programado para o ano fiscal de 2024. Quando a Fase 1 atingir a capacidade total, a capacidade de produção de semicondutores de energia da Toshiba será 2,5 vezes maior do que a do ano fiscal de 2021[1].

Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20220203005438/pt/

Toshiba: Artist’s impression of the new 300-milimeter wafer fabrication facility, Kaga Toshiba Electronics (the building on the right). (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Artist’s impression of the new 300-milimeter wafer fabrication facility, Kaga Toshiba Electronics (the building on the right). (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Artist’s impression of the new 300-milimeter wafer fabrication facility, Kaga Toshiba Electronics (the building on the right). (Graphic: Business Wire)

Os dispositivos de energia são componentes essenciais para gerenciar e reduzir o consumo de energia em todos os tipos de equipamentos eletrônicos e para alcançar uma sociedade neutra em carbono. A demanda atual está se expandindo na eletrificação de veículos e na automação de equipamentos industriais, com uma demanda muito forte por transistores de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors, MOSFETs) e transistores bipolares de porta isolada (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) de baixa tensãoe outros dispositivos. Até o momento, a Toshiba atendeu ao crescimento dessa demanda aumentando a capacidade de produção em linhas de 200 milímetros e antecipando o início da produção em linhas de 300 milímetros do primeiro semestre fiscal de 2023[2] para o segundo semestre fiscal de 2022. As decisões sobre a capacidade global da nova fab e o investimento em equipamento, bem como início, plano e capacidade de produção refletirão as tendências do mercado.

A nova fábrica terá uma estrutura de absorção de terremotos; sistemas BCP aprimorados, incluindo linhas duplas de fornecimento de energia; e os mais recentes equipamentos de fabricação que economizam energia para reduzir ônus ambientais. Ela também terá como objetivo atingir a meta “RE100” de 100% de uso de energia renovável. A qualidade do produto e a eficiência da produção serão aprimoradas com a introdução de inteligência artificial e sistemas automatizados de transporte de wafers.

No futuro, a Toshiba expandirá seus negócios de semicondutores de energia e aumentará a competitividade por meio de investimentos oportunos e pesquisa e desenvolvimento que permitirão responderàdemanda em rápido crescimento e contribuir para uma sociedade de baixo consumo de energia e neutralidade de carbono.

Observações:
[1] O total de capacidade de fabricação de wafers de 200 e 300 milímetros (equivalente a 200 milímetros)
[2] Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation anuncia grande investimento no negócio de dispositivos de energia
- Preparando o início da construção da unidade de fabricação de wafers de 300 milímetros - (10 de março de 2021)
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2021/03/corporate-20210310-1.html

Programa (planejado)

Início da construção: Primavera local, 2023
Fim da construção: Primavera local, 2024
Início da produção: no ano fiscal de 2024

Visão geral da Kaga Toshiba Electronics Corporation

Localização: 1-1, Iwauchi-cho, Nomi-shi, Prefeitura de Ishikawa, Japão
Fundação: Dezembro de 1984
Presidente e diretor representante: Hideo Tokunaga
Funcionários: aproximadamente 1.000 (em 30 de setembro de 2021)
Produtos principais: Semicondutores discretos (semicondutores de energia, dispositivos de pequenos sinais e dispositivos optoeletrônicos)

*Os nomes de empresas, nomes de produtos e nomes de serviços aqui mencionados podem ser marcas registradas das respectivas empresas.
*As informações contidas neste documento, inclusive preços e especificações do produto, conteúdo de serviços e informações para contato são atuais na data do anúncio, mas estão sujeitos a alterações sem aviso prévio.

Sobre a Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, fornecedora líder de soluções avançadas de semicondutores e armazenamento, conta com mais de meio século de experiência e inovação para oferecer aos clientes e parceiros de negócios semicondutores discretos, LSIs de sistema e produtos HDD excepcionais.
Os 22.000 funcionários da empresa em todo o mundo compartilham a determinação para maximizar o valor do produto e promover uma colaboração próxima com os clientes na criação conjunta de valor e novos mercados. Com um faturamento anual que hoje supera 710 bilhões de ienes (US$ 6,5 bilhões), a Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation espera construir e contribuir para um melhor futuro para as pessoas em todo o mundo.
Saiba mais em https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.


Contato:

Contato com a mídia:

K.Tanaka, E.Sugizaki

Grupo de comunicação corporativa e inteligência de mercado

Divisão de planejamento de negócios

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Tel.: +81-44-548-2122

E-mail: [email protected]


Fonte: BUSINESS WIRE

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